Augstas siltumvadītspējas DPAK (TO-252AA) SiC diode

Īss apraksts:

Iepakojuma struktūra: DPAK (TO-252AA)

Ievads: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC diodei, kas izgatavota no silīcija karbīda materiāliem, ir augsta siltumvadītspēja un spēcīga spēja nodot siltumu, kas vairāk veicina barošanas ierīces jaudas blīvuma uzlabošanu, tāpēc tā ir vairāk piemērota strādājot augstas temperatūras vidē.SiC diožu lielais pārrāvuma lauka stiprums palielina noturības spriegumu un samazina izmēru, un augsta elektroniskā pārrāvuma lauka intensitāte palielina pusvadītāju barošanas ierīču pārrāvuma spriegumu.Tajā pašā laikā, palielinoties elektronu sadalīšanās lauka stiprumam, piemaisījumu iespiešanās blīvuma palielināšanas gadījumā var samazināt SiC diodes jaudas ierīces dreifēšanas reģiona platjoslu, lai barošanas ierīces izmērs. var samazināt.

Nosūtiet mums e-pastu

Produkta informācija

Reakcijas laika uzraudzība

Mērīšanas diapazons

Produktu etiķetes

YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC diodes priekšrocības:

1. Konkurētspējīgas izmaksas ar augsta līmeņa kvalitāti

2. Augsta ražošanas efektivitāte ar īsu izpildes laiku

3. Mazs izmērs, kas palīdz optimizēt shēmas plates vietu

4. Stabils un uzticams dažādās dabas vidēs

5. Pašu izstrādāta zemu zudumu mikroshēma

Mikroshēmu ražošanas procedūras:

1. Mehāniskā drukāšana (īpaši precīza automātiskā vafeļu drukāšana)

2. Automātiskā pirmā kodināšana (automātiskās kodināšanas iekārtas), CPK > 1,67

3. Automātiskā polaritātes pārbaude (precīza polaritātes pārbaude)

4. Automātiskā montāža (pašu izstrādāta automātiska precīza montāža)

5. Lodēšana (aizsardzība ar slāpekļa un ūdeņraža maisījumu vakuumlodēšanai)

6. Automātiskā otrā kodināšana (automātiskā otrā kodināšana ar īpaši tīru ūdeni)

7. Automātiskā līmēšana (vienmērīga līmēšana un precīzs aprēķins tiek veikts, izmantojot automātiskās precīzās līmēšanas iekārtas)

8. Automātiskā termiskā pārbaude (automātiska atlase, ko veic termiskais testeris)

9. Automātiskā pārbaude (daudzfunkcionālais testeris)

Produktu parametri:

Daļas numurs	Iepakojums	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3 (parasti 0,03)	1,7 (parasti 1,5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2 (parasti 0,03)	1,7 (parasti 1,4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40 (parasti 0,7)	1,7 (parasti 1,45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200 (parasti 20)	1,8 (parasti 1,5)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200 (parasti 20)	1,8 (parasti 1,65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50 (parasti 10)	1,8 (parasti 1,5)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200 (parasti 30)	1,8 (parasti 1,5)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200 (parasti 35)	1,8 (parasti 1,6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (par kāju)	8 (parasti 0,002) (par kāju)	1,7 (parasti 1,5) (vienā kājā)